ICPドライエッチング装置


1.名 称  ICPドライエッチング装置

製造会社名 

 住友精密工業(株)

ICPドライエッチング装置外観図

型   式

 SUMITOMO MUC21 RDモデル

所   属

 電子部

設置場所

 半導体薄膜研究室
 (207号室)

備   考 

 平成15年度地域産業集積活性化事業にて導入。

2.概 要

機   能

 シリコンや酸化シリコンを、シリコン等と反応するガスを用いて、ミクロン(千分の1mm)オーダのエッチング(除去加工)を行う装置です。機械的・電気的機能を持った微細な機能素子(MEMS)例えばマイクロセンサやマイクロアクチュエータ(作動制御素子)等の作製、開発ができます。

仕   様

・エッチング対象物  
 シリコンウェハ、酸化シリコン
        (水晶、石英等)
(1)シリコンエッチング性能
 @エッチング速度 2μm/分以上
 Aアスペクト比(D/W)10以上
 B加工穴の側壁角度 90±1度以内が可能
 Cエッチング深さ  350μm以上が可能

(2)酸化シリコンエッチング性能
 @エッチング速度  0.15μm/分以上
 Aエッチング深さ   20μm以上が可能 

原   理

反応室外部コイルに高周波電力を供給する誘導結合放電方式により、反応ガスをイオン、ラジカル化させて、材料と反応しやすい状態(プラズマ)にさせます。高密度なプラズマ状態となり、エッチング速度も非常に大きくなります

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