単結晶焼成炉


1.名 称  単結晶焼成炉

製造会社名 

 (株)クリスタルシステム

単結晶焼成炉外観図

型   式

 FZーT−10000−H

所   属

 電子部

設置場所

 半導体開放試作研究室

備   考 

 平成11年度地域産業集積活性化事業にて導入。

2.概 要

機   能

 酸化物誘電体・磁性体等の単結晶を作成する装置で、坩堝等からの不純物が混入しない浮遊帯域溶融方式で単結晶を育成する。赤外線を集光する加熱方式によって2,000℃以上へ短時間で昇温できる。試料室内はアルゴン・酸素・窒素のガス雰囲気と真空及び加圧状態が達成できる構造である。

仕   様

 加熱源:ハロゲンランプ 4灯式   最高到達温度:2,150以上
 単結晶サイズ:最大径10×長さ100mm  結晶育成速度:0.05〜27mm
 雰囲気ガス:アルゴン、窒素、酸素  真空:10−4Pa  最大圧力:0.95MPa

原   理

 種結晶と原料棒の間に赤外線を集光して溶融帯を作る。表面張力で保持された溶融帯を原料棒の上の方向へ移動させると種結晶上に新しい単結晶が成長する。赤外線を発生するハロゲンランプを原料棒の周囲を取り囲むよう4箇所に設置(4灯式)することによって原料棒を均一に加熱することができる。


3.利用分野

依   頼

 

貸   付

 

研   究

 機能性セラミックスを応用した電子部品の開発


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