長野県工業技術総合センター
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薄膜・厚膜機器


薄膜関連機器

PVD装置*         

薄膜スパッタ形成
3元同時連続切替 RF,DC成膜 基板温度最大:800℃
ガス導入3系統                   

高真空蒸着装置*

薄膜の形成
電子ビーム加熱方式(トリプルソース)
抵抗加熱方式 イオン化機構

マイクロ波プラズマCVD*

ダイヤモンド薄膜等の形成
マイクロ波電力:1kW ガス導入7系統

紫外線レーザ装置*
(レーザーアブレーション薄膜形成装置)
KrFエキシマレーザアブレーションによる薄膜形成
ターゲットサイズ:20mm 基板サイズ:20mm角
アトムイオンソース付属

ドライエッチング装置*

薄膜の微細加工
3インチウエハー4枚
ガス2系統:酸素,フロン

ICPドライエッチング装置*

機能素子(MEMS)のミクロンオーダのエッチング(除去加工)
シリコンエッチング性能  エッチング速度:2μm/分以上 アスペクト比:10以上

露光装置*

回路パターン転写焼付
解像度1μm以下

回路パターン作成装置*

回路パターンのマスク作成
CAD 縮小カメラ(1/5〜1/10)

高温真空反応炉*

薄膜の熱処理
最高:1300℃

卓上型ランプ加熱装置
  真空理工 MILA-300-P-N
温度範囲:室温〜1200℃ 最高昇温速度:50℃/秒
試料サイズ:20×20×20mm 

ボンディング装置*

回路素子のワイヤボンディング
超音波方式 ワイヤ径20〜50μm

X線膜厚計

めっき等の薄膜の厚さ測定 簡易な定性分析
厚さ:0.1〜40μm 原子番号13(Al)-92(U) 統計処理機能

膜厚測定装置*

薄膜の膜厚測定
膜厚測定範囲:〜655000オングストローム

エリプソメータ*

薄膜の膜厚、屈折率の測定
光源:He-Neレーザ,Xeランプ

 * 来場して使用できます。古い機器を含みます。


セラミック関連設備

スクリーン印刷機*      

基板の印刷
印刷範囲:150mm×150mm DP-150装置       

ドクターブレード装置*
 津川精機製作所 DP-150

グリーンシート成形
幅 150mm

プレートプレス*
 東洋油圧機械 HPH-10-200

プレス成形
200×200mm 10t 加熱温度〜200

ハンディCIP*
 東洋油圧機械 CIP-35-2000

冷間等方圧プレス成形
2000kg/cm2

管状炉*
 モトヤマ PCR

高温焼成
60mmφ 1200℃max

特殊雰囲気炉
 モトヤマ SH-2025

高温焼成、不活性・還元雰囲気焼成
大気炉 1700℃max
雰囲気炉 セラミック管 1550℃max
       石英管    1100℃max

単結晶焼成炉
 (株)クリスタルシステム
    FZ-T-10000-H

浮遊帯域融解方式、ハロゲンランプ4灯
最高温度2,150℃
単結晶サイズ 径10mm×長さ100mm

 * 来場して使用できます。 古い機器を含みます。


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