精密・電子技術部門の保有設備



 区分 : デバイス開発機器
 ・名称をクリックすると詳細データが表示されます。
 ・予約状況欄の”表示”の文字をクリックすると該当機器の予約状況が表示されます
 ・企業の利用等が比較的多い設備について予約状況を表示しています。
利用される場合はお手数ですが、予約状況の表示の有無に関わらず必ず該当部門に電話で問い合わせてください。
名称内容仕様予約
状況
PVD装置薄膜形成3元同時連続切替
RF/DCスパッタ成膜
基板加熱温度:max800℃
ガス導入:3系統
 
ICPドライエッチング装置シリコンや酸化シリコンなどのハイアスペクト比ドライエッチング加工シリコンエッチング速度2μm/分以上
アスペクト比10以上
 
スピンナレジストなどの基板へのスピンコート回転数:0〜6000rpm
プログラム数:9
プログラムステップ:99
 
ドライエッチング装置薄膜の微細加工3インチウエハ4枚
ガス3系統::アルゴン/酸素/フロン
 
ボンディング装置回路素子のワイヤボンディング用超音波方式
ワイヤ径20〜50μm
ボールボンディング又はウェッジボンディング
 
マイクロ波プラズマCVD装置ダイヤモンド薄膜等の形成マイクロ波電力:1kW
 
回路パターン作成装置回路パターンのマスク作成CAD
縮小カメラ(1/5〜1/10)
 
高温真空反応炉薄膜の熱処理赤外線加熱
加熱温度:max1300℃
 
高真空蒸着装置薄膜の形成電子ビーム加熱方式(トリプルソース)
抵抗加熱方式, イオン化機構
 
紫外線レーザ装置レーザアブレーション薄膜形成KrFエキシマレーザーアブレーション
ターゲット形状:20mm
基板サイズ:20mm角
アトムイオンソース付属
 
卓上型加熱装置電子材料の熱処理温度範囲:室温〜1200℃
最高昇温速度:50℃/秒
試料サイズ:20×20mm
 
膜厚測定装置薄膜の膜厚測定触針式
触針圧:1〜15mg
段差測定再現性:10Å(1σ)以下
多点自動測定、三次元表示可能
 
両面高精度露光機ウエハ表面もしくは裏面のパターンとマスク合わせを行い紫外線露光する装置マスク合わせ方式:両面光学系方式
解像度:1μm以下
 
露光装置回路パターン転写焼付解像度:1μm以下 

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